Историческая справка. Кафедра Физики твердого тела и твердотельной электроники.

Кафедра була створена професором Віктором Олексійовичем Пресновим у 1969 р.

Професор Преснов Віктор Олексійович народився 2 грудня 1917 р. в м. Анжеро-Судженську Кемеровської області в сім’ї гірничого робітника. В 1941р. закінчив Томський державний університет ім. В. В. Куйбишева зі спеціальності „Фізика, оптика і спектроскопія”. В травні 1942 р. його призвали у діючу армію, де він знаходився до вересня 1945 р.

Після захисту кандидатської дисертації у вересні 1950 р. він працює доцентом в Томському університеті, а після захисту докторської дисертації, починаючи з жовтня 1961 року, професором, завідувачем кафедри фізики напівпровідників і діелектриків. У вересні 1964 р. він стає директором, науковим керівником заснованого ним же галузевого НДІ Міністерства електронної промисловості СРСР. На цій посаді він працює до липня 1968 р.

Починаючи з вересня 1968 р. і до останніх днів життя (17 липня 1987р.) його діяльність пов’язана з Одеським національним університетом ім. І. І. Мечникова. В травні 1969 р. він очолив нову щойно організовану ним кафедру фізичної електроніки (тепер – кафедра ФТТ і ТТЕ), якою він завідував на протязі 16 років.

З професором В. О. Пресновим приїхали його учні Вікулін І. М. і Баженов В. К., які незабаром захистили кандидатські дисертації, а також   інженери Овчинникова А. П. і Биліна І. Є. Кандидат фіз.-мат. наук Птащенко О. О. та Євтушенко Н. Г. прийшли на кафедру з дня її заснування з інших кафедр. На кафедрі працював науковий семінар, де вироблялася стратегія розвитку наукових досліджень.

Професор В. О. Преснов отримав від замовників з московського галузевого інституту госпдоговірну науково-дослідницьку тему нечуваного для університету об’єму: 150 тис. крб. Науковим керівником теми, присвяченої дослідженню деградації світлодіодів на основі арсеніду галію, був сам професор, а відповідальним виконавцем – Птащенко О. О. Скоро в дослідницьку групу прийшли Голембієвський М. М., Литовченко Л, Ф., Прокопець В. І. , Гавриленко М. А. та ін. Наукове обладнання для виконання теми було, в основному, отримано з кафедри експериментальної фізики, а частково передано замовниками. В рамках виконання даної теми  потім були сформовані науково-дослідницькі групи під керівництвом Канчуковського О.П., Ротнера Ю. М., Вікуліна І. М., Баженова В. К.

Професором В. О. Пресновим і його співробітниками були проведені широкі дослідження процесів синтезу і кристалізації, електричних властивостей, поверхневих і контактних явищ у напівпровідникових матеріалах. Практичним результатом цієї роботи стала розробка нових типів напівпровідникових приладів, створення нових методів захисту поверхні напівпровідникових приладів. Зокрема, були розроблені перші в СРСР діоди Ганна. За праці з створення НВЧ напівпровідникових приладів у 1985 р. він був удостоєний державної премії УРСР.

Професор В. О. Преснов заснував в Одесі наукову школу твердотільної електроніки, широко відому дослідженнями й розробками приладових структур на основі арсеніду галію й інших матеріалів А³ B⁵, кремнію та штучного алмазу. Під його керівництвом при кафедрі була створена галузева науково-дослідна лабораторія фізичних основ  електронної техніки (ФОЕТ), завідувачем якої став О. П. Канчуковський. При кафедрі, яка налічувала 5 викладачів, було створено науково-дослідницький колектив із понад 200 співробітників. За роботи зі створення  НВЧ напівпровідникових приладів проф. В. А. Преснов був удостоєний звання лауреата  Державної премії України.

Під час роботи в Одеському університеті проф. В. А. Преснов виховав велику групу дослі дників в області фізики напівпровідників і твердотільної електроніки.

Професор І. М. Вікулін очолив роботи зі створення нових напівпровідникових магніточутливих приладів, а також варикапів – напівпровідникових діодів з керованою ємністю. За цикл досліджень у цій області проф. І. М. Вікулін двічі удостоєний звання лауреата Державної премії СРСР.

Професор О. О. Птащенко і його дослідницька група проводили дослідження електронних і оптичних процесів, а також деградаційних явищ у напівпровідникових структурах оптоелектроніки, квантової електроніки та твердотільної сенсорики. Проф. О. О. Птащенко розробив феноменологічну теорію струмів, пов’язаних з тунельною рекомбінацією на дислокаціях і поверхневих рівнях у p-n переходах, модель ізотипних гетероструктур для високоефективних джерел світла, встановив закономірності деградації p-n, p-i-n, n-i-n  напівпровідникових структур.

  Під керівництвом професора В. К. Баженова виконано цикл теоретичних досліджень хімічного зв'язку й зонної структури напівпровідникових сполук А³B⁵, запропоновано діелектричний метод опису алмазоподібних напівпровідників.

Поряд з дослідженнями в області твердотільної електроніки на кафедрі розвивалися дослідження властивостей напівпровідникових і діелектричних матеріалів. Одним з наукових напрямків кафедри й лабораторії було одержання й дослідження напівпровідникових матеріалів під дією високих тисків. В 1978 р. у лабораторії ФОЕТ колектив співробітників під керівництвом професора Ю.М. Ротнера одержав алмазний керамічний матеріал з високою теплопровідністю, якому присвоїли назву ОКМАЛ (від перших букв назв трьох міст: Одеси, Києва і Москви, де знаходилися колективи, які брали участь у створенні матеріалу). У 1985 р. на базі лабораторії ФОЕТ створено міжвідомчу лабораторію “Алмаз” під керівництвом професора Ю. М. Ротнера, що стала головною організацією на Україні по застосуванню алмазних матеріалів у електроніці.

Важливий науковий напрямок лабораторії ФОЕТ по створенню та дослідженню приладів на основі бар'єрів Шотткі очолив завідувач лабораторії кандидат фіз.-мат. наук О. П. Канчуковський. В 1987 р. організована лабораторія напівпровідникових датчиків під керівництвом кандидата фіз.-мат. наук М. А. Глаубермана. У цих підрозділах проводиться розробка фізичних основ і технології виготовлення нового покоління сенсорів – первинних перетворювачів різних фізичних величин у електричні та оптичні сигнали. Це датчики магнітного поля, фотоприймачі, датчики іонізуючого випромінювання, вологості, тиску, сили, прискорення, а також оптико-електронні системи для відображення й обробки інформації (кандидати наук В. В. Єгоров, Н. М. Садова, О. Л. Шенкевич, П. П. Фастиковський, та ін.). Згодом, в 1989 р., ці підрозділи об’єдналися в СКТБ “Контакт”.

Дослідження інжекційно-плазмових процесів у напівпровідниках у відділі контактних явищ лабораторії ФОЕТ під керівництвом професора Ш.Д.Курмашева привело до створення високоефективних фотоприймачів для цілей теплобачення та інших датчиків, які широко використовуються у напівпровідниковій сенсориці.

З 1985 р. під керівництвом нового завідувача кафедри професора М.П.Коваленка почав розвиватися новий науковий напрямок: фізика аморфних напівпровідників і діелектриків. Кафедра в 1991 одержала нову назву - кафедра фізики твердого тіла та твердотільної електроніки. У СКТБ “Контакт” було організовано відділ некристалічних систем мікроелектроніки під керівництвом професора Я. О. Ройзіна, згодом перетворений у лабораторію некристалічних систем мікроелектроніки (НДЛ-11).

Із приходом у 1988 р. професора Б. А. Алтоїза на кафедрі з'явився ще один науковий напрямок, пов'язаний з дослідженнями поверхневих явищ на міжфазних границях тверде тіло – рідина. Професор Б. А. Алтоїз є співавтором відкриття СРСР № 388 з пріоритетом від 26 серпня 1981 р. „Явище утворення гомогенної граничної рідкокристалічної фази немезогенної рідини”, автори Дерягін Б. В., Поповський Ю. М., Алтоїз Б. А. (затверджено в 1999 р.).

В 1 993 р. пр и кафедрі організовано сектор менеджменту науки і наукомістких технологій, який очолила доцент Л. М. Залюбинська.

З 1998 по 2005 р. кафедру очолював доцент В. І. Солошенко, а з 2005 р. – професор О. О. Птащенко.

Члени кафедри (професор Б. А. Алтоїз, доцент Н. Г. Євтушенко, доцент Н.В. Маслєєва, доцент В. І. Солошенко, старший викладач В.Л. Манакін, старший викладач С. А. Стукалов) ведуть навчальний процес і проводять наукові дослідження широкого кола проблем фізики твердого тіла та твердотільної електроніки, а також поверхневих явищ на міжфазних границях тверде тіло – рідина.